特許

J-GLOBAL ID：200903034667982399

発光素子

発明者： 山田 雅人 ,  川崎 真
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-258922
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097466
出願日： 1994年09月28日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】 従来の発光素子よりもさらに高い輝度が得られる発光素子を提供する。【構成】 p型の混晶型化合物半導体から成る第1のクラッド層11、所定波長の発光に必要な混晶比を有するp型の混晶型化合物半導体から成るp型活性層12、及び全域又はp型活性層12とのヘテロ接合部近傍以外の領域においてn型の混晶型化合物半導体から成る第2のクラッド層13、の3層から成り、p型活性層12が第1及び第2のクラッド層11、13の間に形成された構造であるダブルヘテロ接合構造を有する発光素子において、第2のクラッド層13にはn型及びp型不純物が添加され、前記p型不純物の濃度が1×1017cm-3以上であり、且つpn接合が活性層12とのヘテロ接合部から0〜1μmの位置に形成される。

請求項（抜粋）：

p型の混晶型化合物半導体から成る第1のクラッド層、所定波長の発光に必要な混晶比を有するp型の混晶型化合物半導体から成るp型活性層、及び全域又は前記p型活性層とのヘテロ接合部近傍以外の領域においてn型の混晶型化合物半導体から成る第2のクラッド層、の3層から成り、前記p型活性層が前記第1及び第2のクラッド層の間に形成された構造であるダブルヘテロ接合構造を有する発光素子において、前記第2のクラッド層にはn型及びp型の不純物が添加され、p型不純物の濃度が1×1017cm-3以上であり、且つpn接合が前記p型活性層とのヘテロ接合部から0〜1μmの位置に形成されることを特徴とする発光素子。