特許

J-GLOBAL ID：200903034668237522

プラズマ成膜方法

発明者： 青木 武志 ,  中瀬 りさ
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-343999
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162961
出願日： 1997年11月27日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 CF膜を半導体デバイスの層間絶縁膜として用いようとすると、タングステンの配線を形成するときに例えば400°C〜450°C付近にまでCF膜が加熱され、このときにF系のガスがCF膜から抜け、配線の腐食や膜減りに伴う種々の不都合が生じるので、これを抑えるために熱安定性を高めること。【解決手段】 炭素とフッ素の化合物ガス例えばC4 F8 ガスと、炭化水素ガス例えばC2 H4 ガスと、シリコンを含むガス例えばSiH4 ガスとを成膜ガスとして用い、これらガスをプラズマ化してプロセス温度400°Cの下でその活性種により半導体ウエハ上にCF膜を成膜する。SiH4 ガスの添加により、CF膜中にC-F結合よりも強固なSi-C結合やSi-F結合が作られるので、結合が強固となり、高温下でも脱ガス量が少なくなって、熱安定性が向上する。

請求項（抜粋）：

炭素とフッ素の化合物ガスと、シリコンを含むガスとを含む成膜ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより被処理基板上にフッ素添加カ-ボン膜を成膜することを特徴とするプラズマ成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/314 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/314 A ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C