特許
J-GLOBAL ID：200903034668284881
ダイヤモンドの微細加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-140680
公開番号（公開出願番号）：特開平10-330188
出願日： 1997年05月29日
公開日（公表日）： 1998年12月15日
要約：
【要約】【課題】 パターン形成工程において時間的制約を受けず、現像までの時間によりパターンの寸法が変化することを回避できて、パターンの寸法の安定性及び再現性を向上させることができ、ダイヤモンド表面のサブミクロンの微細加工を可能にするダイヤモンドの微細加工方法を提供する。【解決手段】 ダイヤモンド基板1上にラダーシリコーン型SOGを塗布してレジスト膜2を形成し、これをベークした後、Ga集束イオンビームを使用して1価のGaイオン3を所定の条件の下でレジスト膜2の所定の領域に照射する。イオンビームに照射された領域のラダーシリコーン型SOGは脱水縮合すると共に、ブタノール等の有機溶媒に不溶性となる。次いで、基板1をブタノール中に浸漬することにより、イオンビームの照射を受けた領域のレジスト膜2のみがレジストパターン2aとして残存し、他の領域のレジスト膜2はブタノール溶液に溶解する。このようにして得られるレジスト膜2aをマスクとして基板1をプラズマエッチングする。
請求項（抜粋）：
ダイヤモンド表面上にラダーシリコーン型スピンオングラスからなるレジスト膜を形成するレジスト形成工程と、前記レジスト膜に対して電子ビーム及びイオンビームのいずれかを所定のパターンで照射するリソグラフィ工程と、前記レジスト膜を現像して所定のパターンを形成する現像工程と、ECRプラズマエッチング方式により前記ダイヤモンドをエッチングする工程とを有することを特徴とするダイヤモンドの微細加工方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/04 X
, C30B 33/08
