スタッドバンプ形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-226962
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053097
出願日： 1999年08月10日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】バンプ間のショートを防止したスタッドバンプ形成方法を提供する。【解決手段】まず、キャピラリ10に挿通された半田ワイヤ4の先端を、例えばAr+10%H2ガスの雰囲気下でアーク放電により加熱溶融してボール5を形成した後、半導体素子1に形成された例えばアルミニウムからなる電極(図示せず)に、そのボール5を超音波併用熱圧着し、ボール5の根元の再結晶脆弱部で破断させると、ボール5の根元部分にネック6が残った状態で半田バンプ(スタッドバンプ)3が形成される。次に、半田バンプ3の接合に必要な部分以外の部分、すなわちボール5の根元部分に残ったネック6を切断治具11で切断して、半田バンプ3を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体素子の電極上にワイヤボンディング法によりバンプを形成する工程と、形成されたバンプの内、接合に必要な部分以外の部分を治具で切断する工程とからなることを特徴とするスタッドバンプ形成方法。

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