特許
J-GLOBAL ID：200903034668473153
化合物半導体の加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-186566
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036655
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体基板が大気に汚染されることなくパターンを形成し、必要に応じてその後薄層の結晶成長を行う埋め込み構造の形成方法を提供する。【構成】 化合物半導体基板の表面にマスク層14として、アルミニウムを含む層を単原子ないし数原子層形成し、このマスク層14を集束イオンビーム15でスパッタしてパターンを形成し、その後、光照射エッチングで下地のInP層12又はInGaAs活性層13をエッチングし、その後マスク層14を別のガスで除去してパターンを形成する工程を真空容器内で連続して行う。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板の表面にマスク層として、アルミニウムを含む層を単原子ないし数原子層エピタキシャル成長させる第1の工程と、前記マスク層を集束イオンビームを用いてパターン形成する第2の工程と、前記化合物半導体基板の表面に第1のガスを接触させ、同時に光を照射して半導体基板をエッチングする第3の工程と、前記化合物半導体基板の表面に第2のガスを接触させてマスク層をエッチングする第4の工程とを含み、第1から第4の工程は、それぞれ1×10-5Torr以下の真空容器内でそれぞれ連続して行うものであることを特徴とする化合物半導体の加工方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/203
, H01L 21/205
