特許

J-GLOBAL ID：200903034672732414

半導体装置の製造方法

発明者： 執行 和浩 ,  田代 賀久
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-046142
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249481
出願日： 2002年02月22日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】 半導体層のウエットエッチングを容易に制御性良く停止することができる半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】 半導体基板に設けたp型半導体層に、このp型半導体層のフェルミレベルより低いフェルミレベルを有する金属膜を接触させてウエットエッチングする。p型半導体層に金属膜を設けると、金属膜とp型半導体層のフェルミレベルが互いに等しくなるように電荷担体が移動し、p型半導体層の電子バンド構造が変化し、p型半導体層から溶液へのホールの拡散が防止されエッチング速度はp型半導体層単体をエッチングする場合に比べて低下しエッチングが停止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に設けたp型半導体層に、このp型半導体層のフェルミレベルより低いフェルミレベルを有する金属膜を接触させて設け、上記P型半導体層と金属膜にエッチング液を接触させてウエットエッチングする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  C23F 1/00

FI (2件)：

C23F 1/00 A ,  H01L 21/306 B

Fターム (19件)：

4K057WA11 ,  4K057WA13 ,  4K057WA14 ,  4K057WB06 ,  4K057WC05 ,  4K057WD01 ,  4K057WG10 ,  4K057WJ10 ,  4K057WN01 ,  5F043AA02 ,  5F043AA04 ,  5F043AA14 ,  5F043AA16 ,  5F043BB01 ,  5F043BB07 ,  5F043BB08 ,  5F043BB10 ,  5F043DD08 ,  5F043DD24