特許

J-GLOBAL ID：200903034681318566

半導体素子搭載用基板及び半導体装置

発明者： 安藤 好幸 ,  浅野 秀樹
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 櫛渕 昌之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269007
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094006
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置を簡単且つ高品質に製造すること。【解決手段】 合成樹脂によって構成された樹脂成形品12と、この樹脂成形品に形成され、インナーリード13A及びアウターリード13Bを含む電気回路13と、インナーリードに隣接して樹脂成形品の表面に形成された半導体素子搭載部14とを有して構成される半導体素子搭載用基板28において、電気回路は、樹脂成形品に一体に圧着成形された銅箔16、26を主要部として形成され、樹脂成形品には、半導体素子搭載部の周りを囲むようにして隆起部17が形成されたものである。

請求項（抜粋）：

合成樹脂によって構成された樹脂成形品と、この樹脂成形品に形成され、インナーリード及びアウターリードを含む電気回路と、上記インナーリードに隣接して上記樹脂成形品の表面に形成された半導体素子搭載部とを有して構成される半導体素子搭載用基板において、上記電気回路は、上記樹脂成形品に一体に圧着成形された導電性金属層を主要部として形成され、上記樹脂成形品には、上記半導体素子搭載部の周りを囲むようにして隆起部が形成されたことを特徴とする半導体素子搭載用基板。

IPC (6件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/50 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/58 ,  H01L 23/08 ,  H01L 23/50

FI (6件)：

H01L 21/50 B ,  H01L 21/56 R ,  H01L 21/58 ,  H01L 23/08 A ,  H01L 23/50 R ,  H01L 23/12 L

Fターム (20件)：

5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA01 ,  5F061CA21 ,  5F061CB02 ,  5F061CB03 ,  5F067AA08 ,  5F067AA11 ,  5F067AA13 ,  5F067AB04 ,  5F067BB19 ,  5F067BC08 ,  5F067BE10 ,  5F067CC03 ,  5F067CC07 ,  5F067DA01 ,  5F067DA05 ,  5F067DA16 ,  5F067DC02 ,  5F067EA04