特許

J-GLOBAL ID：200903034683164868

量子メモリおよびそれに用いられる針状電極

発明者： 宇賀神 隆一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-114468
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302886
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】 従来の半導体メモリと全く異なる動作原理に基づく、超高集積度の量子メモリを実現し、また、それに用いる針状電極を提供する。【構成】 順次積層された三段の量子ドットQDj-1 、QDj-2 、QDj-3 により一つのメモリセルを構成し、このメモリセルを二次元的に複数配列してメモリセルアレーを構成する。量子ドットQDj-1 、QDj-2 、QDj-3 は化合物半導体ヘテロ接合により形成する。また、メモリセルアレーの量子ドットQDj-1側の主面にバックゲートBGを設け、針状電極により印加される外部電場を局所化する。針状電極は、中心電極の周囲に絶縁体を介して外部電極を設けた構造とする。書き込みや読み出しは、書き込みや読み出しを行うべきメモリセルを含む領域にレーザー光を照射しながら、そのメモリセルに針状電極を接近させて外部電場を印加することにより行う。

請求項（抜粋）：

順次積層された第1の量子箱、第2の量子箱および第3の量子箱によりメモリセルが構成され、上記第1の量子箱および上記第2の量子箱の間の結合の強さと上記第2の量子箱および上記第3の量子箱の間の結合の強さとが互いに異なり、針状電極を用いて上記メモリセルに対する書き込み、読み出しまたは初期化が行われる側の主面と反対側の主面に、上記針状電極により印加される外部電場を上記書き込み、読み出しまたは初期化が行われる上記メモリセルの近傍に局所化するための電極が設けられていることを特徴とする量子メモリ。

IPC (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 29/06