特許
J-GLOBAL ID：200903034687203825
プラズマ処理方法及び装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-075436
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270192
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 低圧力下で均一な低電子温度プラズマを発生させることができるプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 真空容器1内に、ガス供給ユニット2から所定のガスを導入しつつ、ポンプ3により排気を行い、真空容器1内を所定の圧力に保ちながら、マッチング回路10を介して導電体材料用高周波電源4により100MHzの高周波電力を誘電体5上に載置された第一導電体材料6aがなす渦の中心側の端部11aに供給するとともに、第二導電体材料6bを接地することにより、真空容器1内にプラズマが発生し、電極7上に載置された基板8に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。
請求項（抜粋）：
真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内に電磁波を放射するための導電体材料に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の電極に載置された基板を処理するプラズマ処理方法であって、基板表面から所定の距離を隔てた空間における基板面と平行な面内のイオン飽和電流密度分布が、環状の高密度部を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (6件)：
H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
H05H 1/46 A
, C23C 16/50
, C23F 4/00 D
, H01L 21/203 S
, H01L 21/205
, H01L 21/302 A
