特許

J-GLOBAL ID：200903034688907761

半導体装置の評価方法及び装置

発明者： 佐久間 遵 ,  秀島 修
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-147861
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007060
出願日： 1993年06月18日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板の内部欠陥に起因する少数キャリアの減衰と、半導体基板と薄膜との界面準位に起因する少数キャリアの減衰とを区別して評価することができる半導体装置の評価方法及び装置を提供する。【構成】 半導体基板表面に薄膜が形成された半導体装置を評価する半導体装置の評価方法である。半導体基板表面の薄膜に所定の電圧を印加しながら、半導体基板表面から光を照射して少数キャリアを発生させ、マイクロ波の反射波の強度変化に基づいて、発生した少数キャリアの再結合ライフタイムを測定することにより、半導体装置の特性を評価する。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に薄膜が形成された半導体装置を評価する半導体装置の評価方法において、前記半導体基板表面の薄膜に所定の電圧を印加しながら、前記半導体基板表面から光を照射して少数キャリアを発生させ、マイクロ波の反射波の強度変化に基づいて、発生した少数キャリアの再結合ライフタイムを測定することにより、前記半導体装置の特性を評価することを特徴とする半導体装置の評価方法。