特許
J-GLOBAL ID:200903034689306974

高導電性炭素系焼成体及びその組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 淳一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-351176
公開番号(公開出願番号):特開平6-172028
出願日: 1992年12月07日
公開日(公表日): 1994年06月21日
要約:
【要約】【構成】 下記式(I)【化1】〔式中、m、nは0以上の整数、m/(n+m)=0〜1、m+n=10以上〕で示される構造単位よりなる数平均分子量2000以上の共役系高分子を不活性雰囲気下、800〜3500°Cの温度で焼成して得られる炭素系焼成物。【効果】 この炭素系焼成物は、任意の形状を持つ高い導電性材料であり、電子材料、導電材料として有用である。
請求項(抜粋):
下記式(I)【化1】〔式中、m、nは0以上の整数、m/(n+m)=0〜1、m+n=10以上〕で示される構造単位よりなる数平均分子量2000以上の共役系高分子を不活性雰囲気下、800〜3500°Cの温度で焼成して得られる高導電性炭素系焼成物。
IPC (6件):
C04B 35/52 ,  C01B 31/02 101 ,  C01B 31/04 102 ,  C04B 35/54 ,  H01B 1/04 ,  C08G 73/00 NTB
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平4-321509
  • 特開平3-111425
  • 特開平3-028229

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