特許

J-GLOBAL ID：200903034693990979

半導体装置およびその製造方法

発明者： 丸尾 哲正
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-114052
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309227
出願日： 2002年04月17日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体パッケージなどの樹脂封止された半導体装置において、その端子間でショートすることを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体素子1の金バンプ6が設けられている主表面および側面1bが、シリコン原子を中心として無機材料と化学結合する第1の反応基および有機質材料と化学結合する第2の反応基が結合した構造を有するカップリング材21により覆われ、このカップリング材21が設けられた半導体素子1と、リード配線9が形成されたテープ基材11との間が樹脂封止されている。これにより、半導体素子1と封止樹脂7との界面への水分の浸入を防止することができて、高い品質信頼性を得ることができ、リード配線9の端子間がショートすることを防止できる。

請求項（抜粋）：

基材上に設けられたリード配線と半導体素子の端子部とが接続され、前記基材と半導体素子との間が樹脂封止された半導体装置であって、半導体素子の端子部が設けられている主表面およびこの主表面に隣接する側面が、シリコン原子を中心として無機材料と化学結合する第1の反応基および有機質材料と化学結合する第2の反応基が結合した構造を有するカップリング材により覆われ、前記半導体素子におけるカップリング材が設けられた箇所に前記封止樹脂が接触する状態で樹脂封止されていることを特徴とする、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/29 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 21/56 R ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/30 D

Fターム (18件)：

4M109AA02 ,  4M109BA03 ,  4M109CA03 ,  4M109CA10 ,  4M109EC01 ,  4M109ED01 ,  4M109EE03 ,  5F044LL09 ,  5F044RR00 ,  5F044RR17 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19 ,  5F061AA02 ,  5F061BA03 ,  5F061CA03 ,  5F061CA10 ,  5F061CB04 ,  5F061CB13