特許
J-GLOBAL ID：200903034697592218

半導体装置

発明者：
榧野 和夫

榧野 和夫 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田自動織機

株式会社豊田自動織機 について


代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-244226
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066464
出願日： 2004年08月24日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】半導体素子11により発生する熱が伝達する経路に存在する部品数を低減することにより、放熱性を向上できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体素子11を第1金属ベース基板12と第2金属ベース基板13とにより挟み込まれるように配置する。さらに、第1金属ベース基板12及び第2金属ベース基板13は、半導体素子11に熱的に接続されている。そして、第1金属ベース基板12及び第2金属ベース基板13の金属ベース部12a、13aに、冷媒が流通可能な冷媒流通孔121、131を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも1以上の半導体素子と、 略平行に対向して配置されると共に内側に前記半導体素子を配置し前記半導体素子に熱的に接続されている一対の金属ベース基板と、 を備える半導体装置において、 少なくとも何れか一方の前記金属ベース基板は、 冷媒が流通可能な冷媒流通孔が形成された金属ベース部と、 前記金属ベース部の内側面に絶縁層を介して形成され前記半導体素子に電気的接続された配線パターンと、 を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 23/40
FI (1件)：
H01L23/40 D
Fターム (6件)：
5F036AA01 ,  5F036BA05 ,  5F036BB41 ,  5F036BC08 ,  5F036BD01 ,  5F036BE06
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (10件)
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