特許
J-GLOBAL ID：200903034697727768
金属皮膜固定抵抗器の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-014575
公開番号（公開出願番号）：特開平5-205913
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 金属皮膜固定抵抗器の高性能化のため、スパッタリング、蒸着法による保護膜の形成を容易に行うことができる製造方法を提供することを目的とする。【構成】 アルミナ、SiO2による保護膜13の膜厚を数百Å〜数千Åに管理することにより、電極膜と抵抗皮膜間に保護膜13を挟み込んだ状態でオーミックコンタクトを取ることができ、工程を増やすこと無く、保護膜13により性能の向上を図ることができる。
請求項（抜粋）：
ニッケル、クロム、タンタル、チタン、アルミニウムよりなる群から選ばれた金属、またはこの金属間化合物からなる抵抗体材料を基体上に付着し抵抗皮膜を形成する工程と、この抵抗皮膜上全面に蒸着またはスパッタリング法により、膜厚500Å〜5000Åのアルミナまたは膜厚1000Å〜7000ÅのSiO2よりなる保護膜を付着する工程と、この保護膜上の両端部に電極を付着形成する工程と、前記保護膜上の電極間に樹脂による絶縁膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする金属皮膜固定抵抗器の製造方法。
IPC (3件)：
H01C 17/12
, H01C 7/00
, H01C 17/06
