特許
J-GLOBAL ID：200903034710735120
光学多層膜干渉フィルタの作製装置および作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-096833
公開番号（公開出願番号）：特開2002-296413
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
要約：
【要約】【課題】 歩留まりが高く、量産でき、膜厚の制御性を向上させて高い膜性能を有する光学フィルタを作製でき、表面平坦化を達成でき、応力特性を向上できる光学多層膜干渉フィルタの作製装置および作製方法を提供する。【解決手段】 基板22上に光学多層膜フィルタを作製する装置である。成膜チャンバ17Aと、放電発生用プロセスガスを導入する機構56と、低圧力放電発生機構58を備える。成膜チャンバでは、基板ホルダ21と、タンタルターゲット23と、シリコンターゲット24が備えられ、選択したターゲットを使用して基板表面に対しスパッタリング成膜が行われる。ターゲット23,24の使用を切り換えるターゲット切換え機構59を備える。低圧力放電を発生させ、ターゲットを交互に選択して低圧力放電スパッタリングに基づき基板上に五酸化タンタルと二酸化ケイ素を交互に堆積して誘電体多層膜を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に多層膜を堆積して光学多層膜フィルタを作製する装置であり、前記基板を搭載する基板ホルダと、第1誘電体膜材料のターゲットと、第2誘電体膜材料のターゲットとを備え、選択された前記ターゲットを使用して前記基板の表面に対してスパッタリング成膜が行われる成膜チャンバと、前記成膜チャンバに放電発生用プロセスガスを導入するガス導入機構と、前記成膜チャンバの内部で低圧力放電を発生させる低圧力放電発生機構と、前記第1誘電体膜材料のターゲットと前記第2誘電体膜材料のターゲットの使用を切り換えるターゲット切換え機構とを備え、前記成膜チャンバ内に前記基板を搬入して前記基板ホルダ上に搭載し、前記ガス導入機構で導入された前記プロセスガスを用いてかつ前記低圧力放電発生機構で前記低圧力放電を発生させ、前記ターゲット切換え機構でターゲットを交互に選択して低圧力放電スパッタリングに基づき前記基板上に第1誘電体膜と第2誘電体膜を交互に堆積して誘電体多層膜を形成したことを特徴とする光学多層膜干渉フィルタの作製装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
2H048GA04
, 2H048GA33
, 2H048GA60
, 4K029BA43
, 4K029BA46
, 4K029BB02
, 4K029BC08
, 4K029BD00
, 4K029CA06
, 4K029DC03
, 4K029DC05
, 4K029DC16
, 4K029EA03
