特許
J-GLOBAL ID：200903034710848286
電流アパーチャを備えた垂直キャビティレーザー
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-504471
公開番号（公開出願番号）：特表平10-505465
出願日： 1996年06月19日
公開日（公表日）： 1998年05月26日
要約：
【要約】レーザーを放出する垂直キャビティ表面(VCSEL)は、活性領域、横光モードを形成する径方向の屈折率変化を備えて共振キャビティを形成する第1と第2のミラーのスタック、及び光モードのビームウェストより小さい直径まで電流を絞り込み、それによって、デバイス効率を改良し、単一光モード動作を優先的に支持するためのキャビティ内の薄い絶縁用スロットを有する。1つの態様において、絶縁用スロットが、薄いアルミニウム含有半導体層を、円筒上メサの中心方向にエッチング又は選択的酸化することによって形成される。このスロットの厚さは、大きな屈折率変化が横光モードパターンに殆ど影響を及ぼさないように十分薄い。このスロットは、屈折率不連続性による乱れを最少限にし且つ厚めのスロットの使用を許容するため、軸定在波のナルの近くに位置されることができる。好ましい態様において、絶縁用スロットによって形成される電流絞りは、活性領域のp型の側に位置され、光モードのビームウェストよりかなり小さい直径を有し、このようにして、キャリヤーの外側への拡散を最少限にし、空間正孔バーニングを抑えることによってレーザーの単一横モード動作を保証する。
請求項（抜粋）：
活性領域、 共振キャビティを形成する第1と第2のミラースタックであって、その第1ミラースタックはその活性領域の上に配置され、その第2ミラースタックはその活性領域の下に配置され、それらの少なくとも1つがレーザー光の部分放出を可能にする第1と第2のミラースタック、 その活性領域を通る電流フローを生じさせるように配置された第1と第2の電極、 そのそれぞれの第1電極と第2電極に電気接触するその活性領域の第1と第2の側面のそれぞれの上の第1接触領域と第2接触領域であって、それぞれが、活性領域を通る電流を分配するための電流経路を提供する第1接触領域と第2接触領域、及び 活性領域を通って活性領域の中央付近の領域に流れる電流を誘導するための、その活性領域の近くに位置する非導電性の電流アパーチャを形成する薄めの誘電性スロットであって、垂直キャビティ表面を有するレーザー放出デバイス(VCSEL)の基本光モードを絞り込まないように十分薄いスロット、を含んでなる垂直キャビティ表面を有するレーザー放出デバイス。
引用文献：
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