特許

J-GLOBAL ID：200903034712163124

静電誘導型トランジスタ

発明者： 山原 基裕 ,  藤井 暁義
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 奥田 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-129161
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324203
出願日： 2002年04月30日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：

【要約】【課題】 導電性高分子を用いた静電誘導型トランジスタの特性および/または信頼性を改善する。【解決手段】 本発明の静電誘導型トランジスタ30は、第1電極1と、第2電極2と、これらの間に設けられ、且つ、第1電極1と第2電極2との間の電流通路である半導体層3と、半導体層3の中に埋め込まれた第3電極4とを備え、第3電極4に印加する電圧を制御することにより、第1電極1と第2電極2との間の電流量を制御する。半導体層3は第1の超分岐高分子を含む。さらに、半導体層3は、第1の超分岐高分子を介した非共有結合的相互作用による自己組織化構造を有している。

請求項（抜粋）：

第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、且つ、前記第1電極と前記第2電極との間の電流通路である半導体層と、前記半導体層の中に埋め込まれた第3電極とを備え、前記第3電極に印加する電圧を制御することにより、前記第1電極と前記第2電極との間の電流量を制御する静電誘導型トランジスタであって、前記半導体層は少なくとも第1の半導体層を有し、前記第1の半導体層は第1の超分岐高分子を含み、且つ前記第1の超分岐高分子を介した非共有結合的相互作用による自己組織化構造を有する、静電誘導型トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 29/80 ,  C08L101/00 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 654 ,  H01L 51/00

FI (8件)：

C08L101/00 ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 D ,  H01L 29/78 654 C ,  H01L 29/80 V ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 658 E ,  H01L 29/78 658 F

Fターム (11件)：

4J002CE001 ,  4J002CH061 ,  4J002CM011 ,  4J002GQ00 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ01