特許
J-GLOBAL ID：200903034712536532
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-234117
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074517
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 寄生バイポーラトランジスタのベース・エミッタ間での電圧降下を低減し、寄生バイポーラトランジスタを動作しにくくする半導体装置を提供する。【解決手段】 p型シリコン基板1上のn型エピタキシャル層2の表面から基板1に達するように層2内にp+型不純物領域3が形成され、層2は、基板1及び領域3により互いに絶縁分離された複数の素子形成領域4を形成する。領域4の略中央に、n+型ドレイン領域5が形成され、領域5を囲むように領域4内にp型ベース領域6が形成され、領域6に内包されるようにn+型ソース領域7が形成され、また、領域5と領域7との間に介在する領域6上には、酸化膜8を介して絶縁ゲート9が形成され、領域5に対して、領域7と略同じ距離となる箇所に、p+型不純物領域12が形成される。
請求項（抜粋）：
第一導電型半導体基板と、該第一導電型半導体基板上に形成され、表面から前記第一導電型半導体基板に達するように形成された高濃度第一導電型不純物領域と前記第一導電型半導体基板とにより絶縁分離された第二導電型半導体層から成る素子形成領域と、該素子形成領域内に離間形成された高濃度第二導電型ドレイン領域及び第一導電型ベース領域と、該第一導電型ベース領域に内包されるように形成された高濃度第二導電型ソース領域と、前記高濃度第二導電型ドレイン領域と前記高濃度第二導電型ソース領域との間に介在する前記第一導電型ベース領域上に絶縁層を介して形成された絶縁ゲートと、前記高濃度第二導電型ドレイン領域と電気的に接続されるように形成されたドレイン電極と、前記高濃度第二導電型ソース領域と電気的に接続されるように形成されたソース電極とを有し、前記第一導電型ベース領域が前記高濃度第二導電型ドレイン領域を囲むように形成されて成る半導体装置において、前記高濃度第二導電型ドレイン領域に対して前記高濃度第二導電型ソース領域と略同じ距離となる箇所の前記第二導電型半導体層内に、前記第一導電型半導体基板と電気的に接続するための高濃度第一導電型不純物領域を設けたことを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 D
, H01L 29/78 301 W
