特許
J-GLOBAL ID：200903034713600064
半導体装置及び半導体チツプの実装方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-188905
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031982
出願日： 1994年07月19日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】本発明は、信頼性の高い半導体装置及び半導体チツプの実装方法の実現を目的とするものである。【構成】半導体チツプの表面上に絶縁層を介して単数又は複数の導体層を形成して同電位、同一信号と接続される電極を半導体チツプ上で接続するようにしたことにより、基板との実質的な接合部間の間隔を広くとることができ、かくして信頼性の高い半導体装置及び半導体チツプの実装方法を実現できる。また半導体チツプの表面上に、当該表面のほぼ全面を覆うように絶縁層を介して導電性の導体層を形成するようにしたことにより、基板側に形成された信号パターンと半導体チツプとの相互の干渉を防ぐことができ、かくして信頼性の高い半導体装置及び半導体チツプの実装方法を実現できる。
請求項（抜粋）：
内部に所定パターンで不純物拡散層が形成された半導体チツプと、上記半導体チツプの表面のほぼ全面を覆うように、上記半導体チツプの上記表面上に絶縁層を順次介して積層された単数又は複数の導電性の導体層とを具えることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 23/12
, H01L 21/60 311
, H01L 21/321
, H01L 23/29
, H01L 23/31
H01L 23/12 Q
, H01L 21/92 C
, H01L 23/30 D
