特許

J-GLOBAL ID：200903034724246521

半導体装置の製造方法

発明者： 壇 徹
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-081866
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274379
出願日： 2000年03月23日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、微細化を容易に達成することができる電界効果型半導体装置を提供することをその目的とする。【解決手段】 多結晶シリコンのゲート電極5を用いた通常のMISFETを形成後、層間絶縁膜21をCMPにより平坦化し、多結晶シリコンゲート電極5を露出させた後、アルミニウム膜22を堆積する。窒素雰囲気でアニールし、多結晶シリコンのゲート電極をアルミニウムに置換する。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板又は半導体領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、上記ゲート絶縁膜上にシリコン系材料からなるゲート電極を形成する工程と、上記半導体基板又は半導体領域上に上記ゲート電極をマスクとして他導電型の第1の不純物を導入する工程と、上記第1の不純物を活性化する工程と、上記半導体基板又は半導体領域上及び上記ゲート電極上に層間絶縁膜を堆積する工程と、上記層間絶縁膜を平坦化し上記ゲート電極を露出させる工程と、上記ゲート電極及び層間絶縁膜上にアルミニウム膜を堆積する工程と、窒素雰囲気中で熱処理を施して上記ゲート電極をアルミニウムに置換する工程と、上記ゲート電極を除いて上記アルミニウムを除去し、ゲート電極を分離する工程と、を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/28 301 L ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (34件)：

4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB20 ,  4M104BB25 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD80 ,  4M104DD83 ,  4M104DD84 ,  4M104EE09 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH14 ,  4M104HH16 ,  5F040DB03 ,  5F040EC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC10 ,  5F040EC12 ,  5F040EF02 ,  5F040EH05 ,  5F040EJ03 ,  5F040EK05 ,  5F040FA02 ,  5F040FA05 ,  5F040FA07 ,  5F040FB02 ,  5F040FB05 ,  5F040FC10 ,  5F040FC19