特許
J-GLOBAL ID：200903034726599839
多結晶シリコン膜の製造方法および製造装置ならびに半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (5件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 伊藤 英彦
, 堀井 豊
, 森下 八郎
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000007010
公開番号（公開出願番号）：WO2002-031871
出願日： 2000年10月06日
公開日（公表日）： 2002年04月18日
要約：
多結晶シリコン膜の製造方法は、第1の領域(33a)と、この第1の領域33b)と接する第2の領域(33b)とを有する非晶質シリコン膜(33)をガラス基板(31)の上に形成する工程と、非晶質シリコン膜(33)の第1の領域(33a)に波長が390nm以上640nm以下のレーザ(35)を照射して第1の多結晶部分(34a)を形成する工程と、非晶質シリコン膜(33)の第2領域(33b)とその第2の領域(33b)に接する第1の多結晶部分(34a)の一部領域とに波長が390nm以上640nm以下のレーザ(35)を照射して第1の多結晶部分(34a)に接するように第2の多結晶部分(34b)を形成する工程とを備える。
請求項（抜粋）：
第1の領域(33a)と、この第1の領域(33a)と接する第2の領域(33b)とを有する非晶質シリコン膜(33)を基板(31)の上に形成する工程と、
前記非晶質シリコン膜(33)の第1の領域(33a)に波長が390nm以上640nm以下のレーザ(35)を照射して第1の多結晶部分(34a)を形成する工程と、
前記非晶質シリコン膜(33)の第2の領域(33b)と前記第2の領域(33b)に接する前記第1の多結晶部分(34a)の一部領域とに前記波長が390nm以上640nm以下のレーザ(35)を照射して前記第1の多結晶部分(34a)に接するように第2の多結晶部分(34b)を形成する工程とを備えた、多結晶シリコン膜の製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/20
, G02F1/1368
, H01L21/268
, H01L21/336
, H01L29/786
H01L21/20
, G02F1/1368
, H01L21/268 J
, H01L21/268 T
, H01L29/78 627G
