特許

J-GLOBAL ID：200903034727380989

半田材料及びそれを用いた電子部品

発明者： 小柏 俊典 ,  有川 孝俊 ,  横沢 眞▲観▼ ,  青井 和廣 ,  澤田 良治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社 ,  田中電子工業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-275087
公開番号（公開出願番号）：特開平10-118783
出願日： 1996年10月17日
公開日（公表日）： 1998年05月12日
要約：

【要約】【課題】 パラジウム(Pd)を0.005-3.0重量%、錫(Sn)を97.0-99.995重量%含有した組成を有し、かつ液相線温度が200-350°Cである半田材料とすることにより、無鉛で熱疲労性能を向上させ、環境に優しくかつ、電子機器の信頼性を向上させる無鉛高温半田材料を提供する。【解決手段】 Sn地金とPdを所定量配合し、真空溶解した後鍛造してインゴットを得、圧延してテープとし、プレス加工して半田ペレットに仕上げる。好ましい組成は、Snを95.0重量%以上、Pdを0.005-3.0重量%含有させ、更に平均粒子直径が40μm前後のNi,Cu等の金属または合金粒子を0.1-5.0重量%加える。ICチップ5の下面のNiめっき4とダイ1表面のNiめっき2とを介して、基板とチップ状の電子素子である半導体のICチップ5とが半田材料3でほぼ平行に接続(ダイボンド)されている。

請求項（抜粋）：

パラジウム(Pd)を0.005〜3.0重量%、錫(Sn)を97.0〜99.995重量%含有した組成を有し、かつ液相線温度が200〜350°Cである半田材料。

IPC (3件)：

B23K 35/26 310 ,  H01L 21/52 ,  H05K 3/34 512

FI (3件)：

B23K 35/26 310 A ,  H01L 21/52 E ,  H05K 3/34 512 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-174527