特許
J-GLOBAL ID：200903034728149512
半導体薄膜形成用下地基板及び該基板を用いた半導体薄膜の固相成長法並びに光起電力装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-318414
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163405
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 不純物をドープさせずとも、粒径の大きな結晶を形成させ、粒界の少ない結晶性の良好な半導体薄膜を形成させることのできる下地基板及びそれを用いた固相成長法並びに該固相成長法により形成した薄膜を用いた光起電力装置を得る。【構成】 基板1上に点在して配置されたシリコン粒子3をSiO2 被覆層4で埋め込んだ後、SiO2 被覆層4をラッピングすることによりシリコン粒子3の表面3aを露出させたことを特徴としている。この下地基板の上に非晶質半導体薄膜を形成した後、これを加熱して結晶化させ、結晶粒径の大きな多結晶シリコン薄膜を形成する。このようにして形成した多結晶シリコン薄膜を光起電力装置の光電変換層中の半導体層として用いる。
請求項（抜粋）：
基板上に点在して配置された半導体粒子を無機物被覆層で埋め込んだ後、前記無機物被覆層の一部を除去して前記半導体粒子の面を表面に露出させたことを特徴とする、半導体薄膜形成用下地基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 X
, H01L 31/04 A
