特許

J-GLOBAL ID：200903034731037911

プラズマCVD方法、およびこれにより形成された金属膜を有する半導体装置

発明者： 宮本 孝章 ,  門村 新吾 ,  川島 淳志
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-336309
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181016
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】 Ti等の金属膜の成膜において、下地導電材料層等の腐食がなく残留ハロゲンの少ないプラズマCVD方法およびこれにより形成された金属膜を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 TiCl4 およびH2 を含む混合ガスによるプラズマ中の水素原子線の発光スペクトル強度の変化をモニタすることにより、還元条件の良好なCVD条件を設定する。【効果】 下地シリコン基板等の腐食やモホロジの悪化が防止できる。さらにこの金属膜上に形成するAl系金属配線等の腐食がないので、高信頼性の半導体装置を製造することが可能となる。

請求項（抜粋）：

金属ハロゲン化物およびH2 を含む混合ガスを用い、被処理基板上に金属膜を形成するプラズマCVD方法において、前記混合ガス中の金属ハロゲン化物の混合比は、前記混合ガスのプラズマの発光スペクトル強度のうち、前記金属ハロゲン化物の混合による、水素原子線の発光スペクトル強度の減少割合が、急激に変化する混合比以下であるとともに、前記金属ハロゲン化物の混合による、ハロゲンの発光スペクトル強度の増加割合が、急激に変化する混合比以下であるプラズマCVD条件を採用することを特徴とする、プラズマCVD方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/50

FI (3件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/50