エピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：木村高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-051862
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259082
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】本発明は、均一かつ信頼性の高いエピタキシャル成長膜を得ることのできるエピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法を提供することを目的とする。【構成】本発明では、サセプタの裏面近傍に設置された集光部とこれに連設された光ファイバと、前記光ファイバの他端に接続され熱輻射を光学的に検出するセンサ部とから構成され、前記サセプタの裏面近傍の温度を測定する温度測定手段とを具備し、被処理基板表面にエピタキシャル成長を行うようにしている。

請求項（抜粋）：

反応室と、前記反応室内に設置され、被処理基板を支持する回転可能なサセプタと、反応性ガスを、前記反応室内に供給するガス供給手段と、前記被処理基板を加熱する加熱手段と前記サセプタの裏面近傍に設置された集光部とこれに連設された光ファイバと、前記光ファイバの他端に接続され熱輻射を光学的に検出するセンサ部とから構成され、前記サセプタの裏面近傍の温度を測定する温度測定手段とを具備し、被処理基板表面にエピタキシャル成長を行うようにしたことを特徴とするエピタキシャル成長装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-118519
特開昭60-133325
特開平4-000713

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