特許

J-GLOBAL ID：200903034731977990

ヒートシンク付きパッケージ型半導体装置の製造方法

発明者： 奥村 弘守
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 石井 暁夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-271764
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130782
出願日： 1993年10月29日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子14に対する放熱用のヒートシンク20を、前記半導体素子14に対する合成樹脂製パッケージ部21に埋設して成るヒートシンク付きパッケージ型半導体装置を、不良品の発生率を低くして安価に製造する。【構成】 リードフレーム10に、アイランド部11と複数本のリード端子13を造形し、前記アイランド部への半導体素子14のダイボンディングと半導体素子と各リード端子との間のワイヤボンディングとを行ったのち、前記リードフレームを一対の金型16,17にて挟み付け、次いで、前記両金型における成形用キャビティー18,19内に、当該両成形用キャビティーのうち前記アイランド部の下面側に対応する一方の成形用キャビティー19内に予めヒートシンク20を装填した状態で溶融合成樹脂を充填する。

請求項（抜粋）：

金属板製リードフレームに、半導体素子を支持するアイランド部と、このアイランド部に向かって延びる複数本のリード端子とを一体的に造形し、前記アイランド部の上面に対する半導体素子のダイボンディング、この半導体素子と各リード端子との間のワイヤボンディングを施工したのち、前記リードフレームを一対の金型にて、当該リードフレームにおける半導体素子付きアイランド部及び各リード端子の先端部が両金型の合わせ面に形成した成形用キャビティー内にのぞむように挟み付け、次いで、前記両金型における成形用キャビティー内に、当該両成形用キャビティーのうち前記アイランド部の下面側に対応する一方の成形用キャビティー内に予めヒートシンクを装填した状態で溶融合成樹脂を充填することを特徴とするヒートシンク付きパッケージ型半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-069649
  
• 特開昭62-039040