特許
J-GLOBAL ID:200903034738798160

高比重複合材料

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-215900
公開番号(公開出願番号):特開2002-030373
出願日: 2000年07月12日
公開日(公表日): 2002年01月31日
要約:
【要約】【課題】本発明は、制振用途として従来の一体型材料の欠点を解消し、従来にない高い制振性能を有し、加工性が高く、各種形状に形成容易で、放射線遮蔽用途としても従来にない高い放射線遮蔽性能を有し、安価なWベースの高比重複合材料を提供することを目的とする。【解決手段】In、Sn、Sb、Tl、Biのうち1種以上を15〜90重量%と残部Wからなる焼結体又は、Ni、Cu、Coのうち1種以上を0.3〜3重量%表面に含有するWスケルトンにIn、Sn、Sb、Tl、Biのうち1種以上を15〜90重量%溶浸させた材料を得ることにより、良好な制振、放射線遮蔽性を備えた安価な高比重複合材料が得られる。
請求項(抜粋):
In、Sn、Sb、Tl、Biのうち1種以上を15〜90重量%含有し、残部がWからなる高比重複合材料。
IPC (4件):
C22C 27/04 101 ,  B22F 3/26 ,  G21F 1/08 ,  C22C 1/04
FI (4件):
C22C 27/04 101 ,  B22F 3/26 C ,  G21F 1/08 ,  C22C 1/04 D
Fターム (6件):
4K018AA20 ,  4K018CA11 ,  4K018DA11 ,  4K018FA35 ,  4K018KA28 ,  4K018KA55

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