特許
J-GLOBAL ID：200903034744436017
化合物半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-322087
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177157
出願日： 1992年12月01日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【構成】GaAs基板11の表面は未反応の水素を含むSiN膜18で覆われている。SiN膜18には、電極形成用孔21,22,23が形成されている。各孔内にショットキゲート電極13ならびにソースおよびドレイン用電極16,17が形成されている。電極13,16,17と電極形成用孔21,22,23の各縁部との間には隙間24,25,26が形成されている。GaAs基板11の全面に形成されたSiON膜20は、隙間24,25,26に入り込んでいる。【効果】GaAs基板11の表面に酸化物が生成しても、この酸化物はSiN膜18中の水素により還元される。そのため、不所望な界面準位が現れることがない。また、電極13,16,17の近傍のGaAs基板11の表面は、窒化膜ではなくSiON膜20で覆われているから、長期間使用してもゲートリーク電流が増大しない。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板と、この化合物半導体基板の表面を被覆するように形成され、所定位置に電極形成用の孔を有するとともに、膜中に水素を含む窒化膜と、上記電極形成用の孔内に形成され、上記化合物半導体基板の表面に接触するとともに、上記電極形成用の孔の縁部との間に所定の隙間が生じるように形成された電極と、この電極と上記電極形成用の孔の縁部との間の隙間に埋め込まれた酸化窒化膜とを含むことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
