特許

J-GLOBAL ID：200903034748456020

磁電変換素子及びその製造方法

発明者： 吉永 春生
出願人/特許権者： 矢崎総業株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-159355
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349363
出願日： 1999年06月07日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 磁電変換素子部への集磁効果を高めることにより、低磁場での感度をさらに向上させることができる磁電変換素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板11の表面側にはホール素子部15が形成され、シリコン基板11の裏面側に形成されたエッチング溝19の表面上には第1の磁性体膜23が形成され、シリコン基板11aに形成されたエッチング溝19aの表面上には第2の磁性体膜27が形成され、ポリイミド層25により第2の磁性体膜27が形成されたシリコン基板11aをシリコン基板11の表面側に張り合わせてなるため、両方の磁性体膜がホール素子部15を挟み込む形状となる。このため、外部磁界は第1の磁性体膜23及び第2の磁性体膜27によりホール素子部15に効率よく集束される。

請求項（抜粋）：

半導体素子からなる第1のウェハの表面側及び裏面側の一方の面側に形成され且つ外部磁界の大きさに応じた電気信号を出力する磁電変換素子部と、前記第1のウェハの表面側及び裏面側の他方の面側の前記磁電変換素子部に対向するウェハ部分で且つ前記磁電変換素子部の近傍までのウェハ部分に、前記他方の面から前記磁電変換素子部に向かうに従って小径となるテーパ状に形成された溝部と、この溝部の表面上に形成され且つ前記外部磁界を前記磁電変換素子部に集束させる第1の磁性体膜と、半導体素子からなる第2のウェハの前記磁電変換素子部に対向するウェハ部分に、前記磁電変換素子部に向かうに従って小径となるテーパ状に形成されたテーパ部と、このテーパ部の表面上に形成され且つ前記外部磁界を前記磁電変換素子部に集束させる第2の磁性体膜と、前記テーパ部に前記第2の磁性体膜が形成された前記第2のウェハを前記第1のウェハの表面側に張り合わせる張合部と、を備えることを特徴とする磁電変換素子。

IPC (3件)：

H01L 43/06 ,  H01L 43/14 ,  G01P 3/488

FI (3件)：

H01L 43/06 Z ,  H01L 43/14 ,  G01P 3/488 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-282884   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭63-177579