特許
J-GLOBAL ID：200903034750353174

エッチング方法

発明者：
浜 貴一

浜 貴一 について

, 
本郷 俊明

本郷 俊明 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 金本 哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-330161
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162443
出願日： 1994年12月06日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 処理容器内で、被処理基板上のITO(Indium Tin Oxide)に対してプラズマを用いたドライエッチングしても、処理容器内のハイドロカーボンを除去して、処理容器内を汚染させない。【構成】 LCD用ガラス基板Pを処理容器2内のサセプタ4上に載置し、CH4ガスとH2ガスとを導入して、高周波アンテナ33に高周波電力を印加すると共に、サセプタ4にバイアス用の高周波電力を印加してLCD用ガラス基板P上のITOに対してエッチングする。エッチング終了時に、プラズマを生成したまま導入ガスをO2ガスに瞬時に切り替えると、ハイドロカーボンは酸素ラジカルと結合して処理容器2から排気される。このときバイアス側の高周波電力を停止したり、高周波アンテナ33側のラジオ周波電力の出力を上げると、処理容器2内の隅々までクリーニングでき、また必要クリーニング時間を短縮できる。
請求項（抜粋）：
被処理基板上のITO(Indium Tin Oxide)をエッチングする方法において、前記被処理基板を処理容器内に搬入し、CH4、C2H4、C2H6、C3H8、CH3OHの各ガスから選択される第1の処理ガスと、H2、He、Cl2、HClの各ガスから選択される第2の処理ガスとを、前記処理容器内に導入すると共に、前記処理容器の外部に設けたアンテナに、ラジオ周波電力を印加して前記処理容器内にプラズマを生成させ、前記被処理基板を載置する電極にバイアス電位を発生させる周波電力を印加して前記被処理基板のITOに対してエッチングを行う第1の工程と、プラズマを持続したまま、前記各処理ガスに代えて前記処理容器内にO2ガスを導入してプラズマ化して前記被処理基板の処理を行う第2の工程とを具備したすることを特徴とする、エッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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