特許
J-GLOBAL ID:200903034752186526

検出器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山川 政樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-305417
公開番号(公開出願番号):特開平11-142201
出願日: 1997年11月07日
公開日(公表日): 1999年05月28日
要約:
【要約】【課題】 KOHのエッチングプロセスにおける耐性を得、また窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層に対する密着力を高くし、アニール時に相互拡散を生じさせない。【解決手段】 窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層2上に形成され、クロム酸化物よりなる第1の中間層3と、第1の中間層3上に形成され、ニオブ酸化物またはタンタル酸化物よりなる第2の中間層4と、第2の中間層上に形成された白金薄膜5とを備える。
請求項(抜粋):
窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層上に、接着を補強するための中間層を介して白金薄膜を付着させた検出器において、前記窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層上に形成され、クロム酸化物よりなる第1の中間層と、前記第1の中間層上に形成され、ニオブ酸化物またはタンタル酸化物よりなる第2の中間層と、前記第2の中間層上に形成された白金薄膜とを備えたことを特徴とする検出器。

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