特許
J-GLOBAL ID：200903034752306432

半導体装置及びその製造方法

発明者：
南方 浩志

南方 浩志 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-092350
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278496
出願日： 2005年03月28日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】トランジスタ特性の劣化を伴うことなく高誘電率絶縁膜をゲート絶縁膜に用いることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ポリシリコン膜をパターニングすることにより、ゲート電極16を形成し、シリコンと結合してシリコン基板10及び素子分離膜12を保護する保護層を形成する下地保護用ガスと、高誘電率絶縁膜14をエッチングするエッチング用ガスとを含む混合ガスによるプラズマを用いたドライエッチングにより、ゲート電極16の両側のシリコン基板10上及び素子分離膜12上の高誘電率絶縁膜14を除去する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
シリコンを含む半導体基板上に、高誘電率絶縁膜を形成する工程と、 前記高誘電率絶縁膜上に、導電膜を形成する工程と、 前記導電膜をパターニングすることにより、ゲート電極を形成する工程と、 シリコンと結合して前記半導体基板を保護する保護層を形成する第1のガスと、前記高誘電率絶縁膜をエッチングする第2のガスとを含む混合ガスによるプラズマを用いたドライエッチングにより、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板上の前記高誘電率絶縁膜を除去する工程と を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/283 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/78
FI (5件)：
H01L21/302 104Z ,  H01L21/283 C ,  H01L21/302 301Z ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 301G
Fターム (49件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD65 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F004AA05 ,  5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA11 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB13 ,  5F140AA26 ,  5F140BA01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE02 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE14 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG58 ,  5F140BH14 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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