特許
J-GLOBAL ID:200903034753014613

光起電力素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石田 敬 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-096816
公開番号(公開出願番号):特開2002-299654
出願日: 2001年03月29日
公開日(公表日): 2002年10月11日
要約:
【要約】【課題】 Ge基板上に形成され且つ受光面にテクスチャーを形成することにより光電変換効率を高めた表裏面電極型または裏面電極型の光起電力素子を提供する。【解決手段】 Ge基板上に形成され、受光面および裏面のうち少なくとも裏面に電極を備えた光起電力素子において、Ge基板上に、SiXGe1-X中間層と、受光面を構成するSi層とがこの順で積層しており、上記Si層は、受光面が凹凸状のテクスチャー構造を有し、上記SiXGe1-X中間層は、上記Xの値が、上記Ge基板との界面における0から上記Si層との界面における1まで、上記中間層の厚さ方向に沿って増加していることを特徴とする。
請求項(抜粋):
Ge基板上に形成され、受光面および裏面のうち少なくとも裏面に電極を備えた光起電力素子において、Ge基板上に、SiXGe1-X中間層と、受光面を構成するSi層とがこの順で積層しており、上記Si層は、受光面が凹凸状のテクスチャー構造を有し、上記SiXGe1-X中間層は、上記Xの値が、上記Ge基板との界面における0から上記Si層との界面における1まで、上記中間層の厚さ方向に沿って増加していることを特徴とする光起電力素子。
Fターム (7件):
5F051AA02 ,  5F051CB20 ,  5F051DA03 ,  5F051FA15 ,  5F051FA17 ,  5F051HA07 ,  5F051HA19

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