特許
J-GLOBAL ID：200903034756517136
誘電体分離型半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-185121
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045699
出願日： 1993年07月27日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】 電気的特性が良く結晶欠陥の発生しない誘電体分離型半導体装置を提供する。【構成】 素子側シリコンウエハ1の底面にシリコン酸化膜2が形成されている。このシリコン酸化膜2がP-型の台側シリコンウエハ3に接着されている。素子側シリコンウエハ1には高耐圧横型IGBT4と制御回路5が形成されている。高耐圧横型IGBT4と制御回路5とは絶縁分離溝6により絶縁分離されている。高耐圧横型IGBT4と制御回路5の底部にはP+型の高濃度層9a,9bがそれぞれ形成されている。
請求項（抜粋）：
活性領域を有する第1の半導体基板と、前記活性領域中の前記半導体酸化膜と接する部分を含む領域に形成され、1.5×1015個/cm2 から3×1015個/cm2 の範囲のドーズ量のボロンがイオン注入されている所定電導型の高濃度層と、前記高濃度層上に形成された半導体酸化膜と、前記半導体酸化膜に接着され、前記第1の半導体基板を支持する第2の半導体基板とを備えたことを特徴とする誘電体分離型半導体装置。
引用特許：
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