特許
J-GLOBAL ID：200903034757791878
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
三好 秀和
, 三好 保男
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 栗原 彰
, 川又 澄雄
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-307523
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146465
出願日： 2002年10月22日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】しきい値電圧の増大ならびにパンチスルーを防止し、かつチャネル抵抗の低下を達成し得る炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】エピタキシャル領域102の表層部に形成された低濃度ウエル領域103と、低濃度ウエル領域103内に形成されたソース領域105と、ソース領域105の直下に、低濃度ウエル領域103に接合して形成された高濃度ウエル領域104とを備えて構成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の炭化珪素半導体基板上に形成された第1導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域の表層部に形成された第2導電型の低濃度ウエル領域と、
前記低濃度ウエル領域内に形成された第1導電型のソース領域と、
前記ソース領域の直下に、前記低濃度ウエル領域に接合して形成された第2導電型の高濃度ウエル領域と、
前記低濃度ウエル領域に形成されるチャネルを介して前記ソース領域との間で電流が流れるドレイン領域と、
前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に形成される前記チャネル領域上に形成されたゲート電極と
を有することを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (3件)：
H01L29/78
, H01L21/265
, H01L21/336
H01L29/78 652E
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 658B
, H01L29/78 658C
, H01L29/78 658E
, H01L21/265 F
