特許
J-GLOBAL ID：200903034758097819
バンプおよびその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-048824
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074778
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 回路基板に半導体チップをCOG実装するときに好適なバンプとその形成方法を提供する。【構成】 回路基板の導体回路や半導体チップの所定位置に電着されたIn、In-Ag合金またはPb-Sn合金のバンプ本体4とその頂部または全面を被覆するCu、Au、Pd、Ag、Ni、Pd-Ni合金からなるバンプ外皮5でバンプは構成される。【効果】 形成されたバンプの高さが多少不揃いであっても、半導体チップを載せて全体を熱圧着すると、In、In-Ag合金、Pb-Sn合金が低融点材料なので熱圧着時の温度で軟化してバンプの高さが揃うようになる。そのとき、バンプ外皮がバンプ本体を包み込んでいて、その隣の導体回路への流れ出しを防ぐので導体回路間でショートは起こらない。高精細な液晶パネル用のバンプとして有用である。
請求項（抜粋）：
回路基板に半導体チップを実装するときに、前記回路基板または前記半導体チップのいずれか一方の所定位置に形成されるバンプであって、前記所定位置に直接電着されたIn、In-Ag合金またはPb-Sn合金から成るバンプ本体と、前記バンプ本体の少なくとも頂部を被覆するCu、Au、Pd、Ag、Ni、Pd-Ni合金の群から選ばれる少なくとも1種のバンプ外皮とから成ることを特徴とするバンプ。
IPC (4件)：
H01L 21/321
, C25D 7/00
, H01L 21/60 311
, H05K 3/24
