特許

J-GLOBAL ID：200903034761688712

単結晶表面の凹凸制御方法

発明者： 市川 武史
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-014860
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275358
出願日： 1993年02月01日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 単結晶表面に照射されるイオンのエネルギーを制御しながら該単結晶表面の凹凸を制御する方法を提供すること。【構成】 凹凸を有する単結晶表面上に、エネルギの制御されたイオンを照射しながら堆積原子を供給してエピタキシャル成長を行ない前記凹凸を減ずることを特徴とする単結晶表面の凹凸制御方法。【効果】 表面温度とイオンのエネルギーを制御することにより多孔質表面を成長により平坦化することができる。さらに表面温度とイオンのエネルギーを制御することにより多孔質上に孔を持つ多孔質エピタキシャル層を成長させることもできる。

請求項（抜粋）：

凹凸を有する単結晶表面上に、エネルギの制御されたイオンを照射しながら堆積原子を供給してエピタキシャル成長を行ない前記凹凸を減ずることを特徴とする単結晶表面の凹凸制御方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/34 ,  C30B 23/06 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203