特許

J-GLOBAL ID：200903034765662483

半導体発光素子評価装置及び半導体発光素子の評価方法

発明者： 水野 義之 ,  近藤 道雄
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 上野 登
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-065576
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273948
出願日： 2003年03月11日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】半導体発光素子の種類、デバイス構造、測定温度等によらず、半導体発光素子の電気光学特性を正確に評価することができる半導体発光素子評価装置及び半導体発光素子の評価方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る半導体発光素子評価装置20は、ウエハ10表面に形成された半導体発光素子12から放出される光量を測定するための受光装置22と、半導体発光素子12に電流を供給するためのプローブ電極24と、受光装置22と半導体発光素子12との間に配置された、半導体発光素子12から放出される光を受光装置22に導くための光導波路26とを備えている。また、光導波路26は、その断面形状が外側に凸であり、その側面から光導波路26の内部に向かう法線とウエハ10側の端面の法線とのなす角が90°以下であり、かつ空気に対する屈折率nが1.42以上である高屈折率体からなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ウエハ表面に形成された半導体発光素子から放出される光量を測定するための受光装置と、 前記半導体発光素子に電流を供給するためのプローブ電極と、 前記受光装置と前記半導体発光素子との間に配置された、前記半導体発光素子から放出される光を前記受光装置に導くための光導波手段とを備え、 該光導波手段は、空気に対する屈折率nが1.42以上である高屈折率体からなる半導体発光素子評価装置。

IPC (4件)：

H01L33/00 ,  G01M11/02 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66

FI (4件)：

H01L33/00 K ,  G01M11/02 Z ,  G01R31/26 F ,  H01L21/66 B

Fターム (14件)：

2G003AA06 ,  2G003AA10 ,  2G003AB00 ,  2G003AB01 ,  2G003AG03 ,  2G003AH05 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA19 ,  4M106DH12 ,  4M106DH41 ,  5F041AA46