特許
J-GLOBAL ID:200903034768709952
非線形光学材料の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
池内 寛幸 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-319603
公開番号(公開出願番号):特開平7-175095
出願日: 1993年12月20日
公開日(公表日): 1995年07月14日
要約:
【要約】【目的】 非晶質薄膜中の金属または半導体微粒子の粒径が均一で、良好な非線形光学特性を有する非線形光学材料を得る。【構成】 ターゲット1、2に高周波電源5、6から高周波電力を供給して室温〜200°Cの基板温度でスパッタリングを行い、金属または半導体がイオン状態または原子状態で含まれる非晶質薄膜を基板3上に作製し、その後、熱処理の昇温速度を1°C/秒ないし250°C/秒で加熱し、熱処理して非線形光学材料を得る。
請求項(抜粋):
金属または半導体を含有する非晶質薄膜を基板上に形成した後、熱処理し金属微粒子または半導体微粒子を非結晶薄膜中に分散させて非線形光学材料を製造する方法において、前記非晶質薄膜を基板上に形成する際の基板温度を室温以上200°C以下にすることを特徴とする非線形光学材料の製造方法。
IPC (5件):
G02F 1/35 505
, C03C 17/23
, C23C 14/08
, C23C 14/50
, C23C 16/50
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