プラズマ処理装置及びこのプラズマ処理装置を用いたアッシング方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：下田容一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-277991
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135097
出願日： 1993年11月08日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】アッシングレートのアップと低ダメージとを同時に実現する。【構成】プラズマ処理装置はチャンバー3の上半部3b外周に高周波電源に接続される第1のシート状電極5とアースに接続される第2のシート状電極6を左右に離間して対向配置している。第1のシート状電極5及び第2のシート状電極6はチャンバー上半部3bの周方向に伸びる凸部5a,6aと凹部5b,6bを上下方向に連続して形成した櫛歯状をなし、これらは間隔gをあけて噛合している。一方、前記ベース1の開口2には下方からウェーハWをセットするステージ7が臨み、またベース1には真空ポンプにつながる排気通路8を形成し、更に石英チャンバー3の下部外周面にはリング状のグランド電極9を設けている。

請求項（抜粋）：

被処理物のステージの上方をチャンバーで覆うとともにステージの周囲に排気口を設け、またチャンバーの上部外周面に高周波電源に接続される第1のシート状電極とアースに接続される第2のシート状電極とを配置したプラズマ処理装置において、前記第1のシート状電極と第2のシート状電極は凸部と凹部を有する櫛歯状をなし、更に一方のシート状電極の凸部が他方のシート状電極の凹部に略一定の間隔を開けて噛み合っており、更に前記チャンバーの下部外周にはこれを囲繞するグランド電極を設けていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H05H 1/46 , C23F 4/00 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/302 B , H01L 21/302 H

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開昭63-260030
特開昭63-156533
特開昭58-204526

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審査官引用 (4件)

特開昭63-260030
特開昭63-156533
特開昭58-204526

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