特許

J-GLOBAL ID：200903034778981936

高分子化合物及びポジ型レジスト組成物

発明者： 降▲旗▼ 智欣 ,  加藤 英人 ,  岡崎 智
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-131042
公開番号（公開出願番号）：特開2000-034329
出願日： 1999年05月12日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【解決手段】 下記式(1)で示される繰り返し単位を有するノボラック樹脂の水酸基の水素原子の一部を1,2-ナフトキノンジアジドスルホニルエステル基で置換し、かつ、残りの水酸基の一部の水素原子を下記一般式(2)で示されるトリアジニル基で置換したポリスチレン換算重量平均分子量が1,000〜30,000である高分子化合物。【化1】(式中、mは0〜3の整数を示す。)【化2】(式中、R1、R2、R3、R4はヒドロキシメチル基又は-CH2OR5で示される基を示し、R1、R2、R3、R4中、少なくとも1つは-CH2OR5で示される基を示す。また、R5は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。)【効果】 本発明の高分子化合物はポジ型レジスト材料のベース樹脂として有効であり、本発明の高分子化合物を含むポジ型レジスト材料は微細加工においてその感度、解像性、現像性に優れ、層間絶縁膜形成における耐熱性、低温硬化性に特に優れたものである。

請求項（抜粋）：

下記式(1)で示される繰り返し単位を有するノボラック樹脂の水酸基の水素原子の一部を1,2-ナフトキノンジアジドスルホニルエステル基で置換し、かつ、残りの水酸基の一部の水素原子を下記一般式(2)で示されるトリアジニル基で置換したポリスチレン換算重量平均分子量が1,000〜30,000である高分子化合物。【化1】(式中、mは0〜3の整数を示す。)【化2】(式中、R1、R2、R3、R4はヒドロキシメチル基又は-CH2OR5で示される基を示し、R1、R2、R3、R4中、少なくとも1つは-CH2OR5で示される基を示す。また、R5は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。)

IPC (3件)：

C08G 8/28 ,  C08L 61/14 ,  G03F 7/023 501

FI (4件)：

C08G 8/28 B ,  C08G 8/28 A ,  C08L 61/14 ,  G03F 7/023 501