特許
J-GLOBAL ID：200903034785152732
弾性表面波装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮▲崎▼主税
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-073854
公開番号（公開出願番号）：特開2007-251710
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】SH波利用で、レイリー波スプリアスの影響を抑圧する弾性表面波装置の提供。【解決手段】(0°±5°,θ,ψ)のLiNbO3基板2上にCuを主体で、IDT電極3を含む電極形成領域を除く領域に、第1の酸化ケイ素膜6が形成され、電極及び第1の酸化ケイ素膜6を覆う様に、第2の酸化ケイ素膜7が形成され、電極密度が、第1の酸化ケイ素膜の密度の1.5倍以上で、かつオイラー角(0°±5°,θ,ψ)のψが、10°〜30°の範囲内で、θ及びψは、IDT電極膜厚が0.05λの時、ハッチング付与領域範囲内にあり、0.05λ以外の時、前記領域を、下記式で表われるθxに変換して得られた領域内にある、弾性表面波装置。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
オイラー角(0°±5°,θ,ψ)のLiNbO3基板と、
前記LiNbO3基板上に形成されており、Cuを主体とする少なくとも1つのIDT電極を含む電極と、
前記電極が形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と等しい厚みとなるように形成されている第1の酸化ケイ素膜と、
前記電極及び第1の酸化ケイ素膜を被覆するように形成された第2の酸化ケイ素膜とを備え、
前記電極の密度が、前記第1の絶縁膜の密度の1.5倍以上である、SH波を利用した弾性表面波装置であって、
前記第2の酸化ケイ素膜の膜厚が0.15λ〜0.40λの範囲にあり、前記オイラー角(0°±5°,θ,ψ)のψが10°〜30°の範囲にあり、かつθ及びψが、IDT電極の膜厚が0.05λの場合において添付の図5にハッチングを付して示した領域の範囲内にあり、かつIDT電極の膜厚が0.05λ以外の場合には、IDT電極の膜厚を弾性波の波長で規格化した膜厚をxとしたときに、図5の斜線で付したハッチングの領域を、図5のθを下記の式(1)で表されるθxに変換して得られた領域内にあることを特徴とする、弾性波装置。
IPC (4件)：
H03H 9/25
, H03H 9/145
, H01L 41/09
, H01L 41/18
H03H9/25 C
, H03H9/145 C
, H01L41/08 U
, H01L41/08 L
, H01L41/08 C
, H01L41/18 101A
5J097AA06
, 5J097AA10
, 5J097BB01
, 5J097BB17
, 5J097DD29
, 5J097FF03
, 5J097GG04
, 5J097GG05
, 5J097GG07
, 5J097KK01
, 5J097KK05
, 5J097KK09
, 5J097KK10
出願人引用 (1件)
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弾性表面波装置
公報種別：再公表公報
出願番号：JP2004011364
出願人：株式会社村田製作所
審査官引用 (2件)
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