半導体レーザ装置とその作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中野佳直
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-285313
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120612
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】作製の工程数を削減して作製時間を短縮するとともに、コストを低減し、歩留り良く半導体レーザ装置を作製すること。【構成】分子線エピタキシー法により、n型(100)GaAs基板1上にn型GaAsバッファー層2、n型Al0.5Ga0.5Asクラッド層3、GaAs活性層4、p型Al0.5Ga0.5Asクラッド層5、p型GaAsキャップ層6を順次、通常の基板温度700°Cで成長させ、その後、基板温度を250°Cに下げてGaAs半絶縁性層(電流ブロック層)7を0.1μm成長させる。このレーザ結晶の表面に、フォトリソグラフィーを用いてマスクを形成し、電極9とキャップ層6が接触するコンタクトストライプ領域を決定する。低温MBE法で容易に電流ブロック層7が形成でき、レーザ作製の工程数と時間を削減するとともに、レーザ作製コストを低減し、作製の歩留りを向上させることができる。また、レーザ構造層を形成している材料系で電流ブロック層を形成することができるので、熱膨張係数の差に起因する残留応力などが発生しない。

請求項（抜粋）：

活性層とこれを挟むクラッド層とその上に積層されたコンタクト層を主構成要素とするダブルヘテロ構造のレーザ結晶、あるいは、量子井戸層とこれを挟むコンファインメント層とさらにこれらを挟むクラッド層とその上に積層されたコンタクト層を主構成要素とする量子井戸構造のレーザ結晶において、半絶縁性のGaAs層を電流ブロック層としてコンタクト層の上に積層した構造を有することを特徴とする半導体レーザ装置。

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