特許
J-GLOBAL ID：200903034791890397
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-023471
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223634
出願日： 1997年02月06日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】上下層の配線間に形成される層間絶縁膜の平坦化特性を向上させ、配線形成プロセスの歩留まり向上をはかる。【解決手段】半導体基板の主面に互いに近接して配置され、他の配線とは離間して配置された第1の下層配線と、第2の下層配線を有する様に設計した半導体集積回路において、下層配線の近隣に下層配線と平行に電気的に結合していなくてもよい下層配線を追加配置する設計を行い、設計に従って半導体基板の主面に下層配線を形成する工程を含み、下層配線が形成された半導体基板上に、スピンコート塗布絶縁膜を形成する工程と、スピンコート塗布絶縁膜上に複数の上層配線を形成する工程を含む。
請求項（抜粋）：
集積回路の配線パターン形成において、半導体基板の主面に配線幅が0.5μm以上,2μm以内の下層配線が互いの配線間隔2μm以内に近接して配置され、他の配線との配線間隔が5μm以上離間して配置されたツイン配線を形成する場合に、ツイン配線から配線間隔4μm以内に電気的に結合されていなくてもよい配線幅が0.5μm 以上,20μm以内のダミー配線を形成する工程と、前記下層配線が形成された前記半導体基板上にスピンコート塗布絶縁膜を形成する工程と、前記スピンコート塗布絶縁膜上に複数の上層配線を形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/88 K
, H01L 21/88 S
