アニール装置及びアニール方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-183048
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019725
出願日： 2003年06月26日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】従来よりも単純な機構のアニール装置、及びこのアニール装置を用いたアニール方法を提供すること。【解決手段】チャンバ(処理室)1と、チャンバ1内に設けられた熱輻射体5と、熱輻射体5を加熱する黒鉛加熱ヒータ(加熱部)7と、熱輻射体5にSiCウエハWを近づけるウエハホルダ(ウエハ搬送機構)2と、を有し、前記ウエハホルダ2がSiCウエハWを熱輻射体5に近づけることにより、熱輻射体5からの輻射熱によってSiCウエハWが所定温度でアニールされることを特徴とするアニール装置による。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

処理室と、前記処理室内に設けられた熱輻射体と、前記熱輻射体を加熱する加熱部と、前記熱輻射体にウエハを近づけるウエハ搬送機構と、を有し、前記ウエハ搬送機構が前記ウエハを前記熱輻射体に近づけることにより、前記熱輻射体からの輻射熱によって前記ウエハが所定温度でアニールされることを特徴とするアニール装置。

IPC (1件)：

H01L21/265

FI (1件)：

H01L21/265 602A

引用特許：

審査官引用 (9件)

熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-087472 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
半導体ウエハーの熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-259002 出願人：ローム株式会社
熱処理装置、熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-263822 出願人：株式会社デンソー

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