特許

J-GLOBAL ID：200903034796035150

超伝導ジョセフソン素子の製造方法

発明者： 島影 尚 ,  王 鎮 ,  川上 彰 ,  小宮山牧兒 ,  中條 渉
出願人/特許権者： 郵政省通信総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-261935
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094794
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 超伝導ジョセフソン素子において、素子の製造方法を制御良く行うことで素子自身の再現性や特性を向上させる。【構成】 超伝導ジョセフソン素子の超伝導薄膜形成面に段差を作るためのエッチングの際、金属マスクを使用することにより、熱の影響の軽減を行い、段差部の側壁の角度の制御性及び、平坦度を上げ、超伝導ジョセフソン素子の特性を向上できる。

請求項（抜粋）：

超伝導薄膜形成面の所要部分に段差を形成し、上記超伝導薄膜形成面に堆積された超伝導薄膜をパターニングし、上記超伝導薄膜形成面の段差部にジョセフソン接合を形成する超伝導ジョセフソン素子の製造方法において、上記超伝導薄膜形成面上に段差部を形成するためのマスクとなる金属薄膜層を形成し、上記金属薄膜層の上面にパターニングしたフォトレジストを被着し、反応性イオンエッチングを行うことによって、パターニングに応じて上記金属マスクに形成されるパターンの側壁に任意の角度をもつ金属マスクを形成し、上記金属マスク上に残留するフォトレジストを除去し、イオンビームエッチングにより、上記金属マスクの側壁の角度に応じた傾斜状の段差を上記超伝導薄膜形成面に転写し、該傾斜状の段差に跨るように超伝導薄膜をパターニングするようにしたことを特徴とする超伝導ジョセフソン素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 39/24 ZAA ,  H01L 39/24

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-241874
  
• 特開昭62-024628
  
• 特開昭61-124137