特許
J-GLOBAL ID：200903034797657236
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-165060
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005718
出願日： 1992年06月23日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【構成】 半導体基板1あるいは半導体基板1上に形成された第1の導電層と、半導体基板1上あるいは第1の導電層上に積層された絶縁層2と、絶縁層2に形成された開口3aと、少なくとも開口底部にRuO2 膜4が形成され、RuO2膜4上に積層された第2の導電性物質5と、RuO2 膜4と第2の導電性物質5とを介して半導体基板1あるいは第1の導電層と接続された第3の導電層6とが形成されている半導体装置。【効果】 半導体基板1と第2の導電性物質5との間に形成されるバリヤ層がRuO2 膜4の単層で形成されるのでその製造工程におけるエッチング加工が2層以上の積層構造に比べて容易となる。また、RuO2 膜4の膜厚及び抵抗の制御が容易となり、そのコンタクト抵抗を低減することができ、半導体装置の歩留を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板あるいは半導体基板上に形成された第1の導電層と、前記半導体基板上あるいは前記第1の導電層上に積層された絶縁層と、該絶縁層に形成された開口と、少なくとも開口底部にRuO2 膜が形成され、該RuO2 膜上に積層された第2の導電性物質と、前記RuO2 膜と前記第2の導電性物質とを介して半導体基板あるいは前記第1の導電層と接続された第3の導電層とが形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
