特許

J-GLOBAL ID：200903034808168232

分散型フィードバック半導体レーザ装置とマルチチャネルアナログ光ファイバ通信システム

発明者： デイビッド アラン アッカーマン
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-087263
公開番号（公開出願番号）：特開平7-030200
出願日： 1994年04月04日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】正確に制御したκLの値を有するグレーティングDFBレーザを提供することである。【構成】本発明は、DFB半導体レーザの改良に関する。特に、この分散型フィードバック半導体レーザ装置は、前記レーザ装置のモーダルデケー(modal decay)長はt0で、パラメータはαであり、前記半導体素子の多層構造は、(a)平面状の活性層13と、(b)前記活性層13とほぼ平行な回析格子層15と、(c)前記活性層13と回析格子層15との間に形成された厚さtsのスペーサ層14とからなり、(d)前記tsは、[t0/(1-α)]の±10%の範囲内にあることを特徴とする。スペーサ層の厚さを適切に選択することにより、少なくともある種のDFBレーザのκLの値は、製造条件の不可避的な変動に左右されず、その結果製品の歩留まりが向上する。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、前記半導体素子に電流を流す手段とからなる分散型フィードバック半導体レーザ装置において、前記レーザ装置のモーダルデケー(modal decay)長はt0で、パラメータはαであり、前記半導体素子の多層構造は(a)平面状の活性層(13)と、(b)前記活性層(13)とほぼ平行な回析格子層(15)と、(c)前記活性層(13)と回析格子層(15)との間に形成された厚さtsのスペーサ層(14)とからなり、(d)前記tsは、[t0/(1-α)]の値の±10%の範囲内にあることを特徴とする分散型フィードバック半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  G02B 5/18