特許
J-GLOBAL ID:200903034808168232
分散型フィードバック半導体レーザ装置とマルチチャネルアナログ光ファイバ通信システム
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三俣 弘文
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-087263
公開番号(公開出願番号):特開平7-030200
出願日: 1994年04月04日
公開日(公表日): 1995年01月31日
要約:
【要約】【目的】正確に制御したκLの値を有するグレーティングDFBレーザを提供することである。【構成】本発明は、DFB半導体レーザの改良に関する。特に、この分散型フィードバック半導体レーザ装置は、前記レーザ装置のモーダルデケー(modal decay)長はt0で、パラメータはαであり、前記半導体素子の多層構造は、(a)平面状の活性層13と、(b)前記活性層13とほぼ平行な回析格子層15と、(c)前記活性層13と回析格子層15との間に形成された厚さtsのスペーサ層14とからなり、(d)前記tsは、[t0/(1-α)]の±10%の範囲内にあることを特徴とする。スペーサ層の厚さを適切に選択することにより、少なくともある種のDFBレーザのκLの値は、製造条件の不可避的な変動に左右されず、その結果製品の歩留まりが向上する。
請求項(抜粋):
半導体素子と、前記半導体素子に電流を流す手段とからなる分散型フィードバック半導体レーザ装置において、前記レーザ装置のモーダルデケー(modal decay)長はt0で、パラメータはαであり、前記半導体素子の多層構造は(a)平面状の活性層(13)と、(b)前記活性層(13)とほぼ平行な回析格子層(15)と、(c)前記活性層(13)と回析格子層(15)との間に形成された厚さtsのスペーサ層(14)とからなり、(d)前記tsは、[t0/(1-α)]の値の±10%の範囲内にあることを特徴とする分散型フィードバック半導体レーザ装置。
IPC (2件):
前のページに戻る