特許
J-GLOBAL ID：200903034809784590
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-297651
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125084
出願日： 1992年10月09日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置を用いて、ダイナミック駆動をおこなう集積回路の最適な構成およびプロセスを提供する。【構成】 薄膜状絶縁ゲイト型トランジスタを有するダイナミック回路を構成する際に、リーク電流の小さなTFTを形成するために、活性層の厚さを70nm以下とし、かつ、その他の高速動作を要求されるTFTでは、活性層の厚さを70nm以上とする。
請求項（抜粋）：
同一基板上に少なくとも2つのポリシリコン薄膜トランジスタを有する集積回路において、ポリシリコン薄膜トランジスタの活性層は450°C以上の熱アニールによって結晶化され、そのうちの少なくとも1つのポリシリコン薄膜トランジスタはその活性層の厚さが70nm以下であり、他のポリシリコン薄膜トランジスタの活性層の厚さは70nm以上であることを特徴とするポリシリコン薄膜トランジスタ集積回路。
IPC (4件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 27/146
, H01L 21/336
H01L 29/78 311 C
, H01L 27/14 C
, H01L 29/78 311 Y
