特許
J-GLOBAL ID：200903034814924324
投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高梨 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-334438
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144701
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 露光光吸収による熱的変化に伴う光学特性の変動を補正し、高解像度の投影パターン像が得られる投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を得ること。【構成】 第1物体2面上のパターンを投影光学系1により第2物体面3上に投影露光する際、該投影光学系を構成する少なくとも1つのレンズの熱的変化による形状変化に関する情報を形状測定手段11で測定し、該形状測定手段からの信号に基づいて該投影光学系の光学特性の変化を調整手段で調整したこと。
請求項（抜粋）：
第1物体面上のパターンを投影光学系により第2物体面上に投影露光する際、該投影光学系を構成する少なくとも1つのレンズの熱的変化による形状変化に関する情報を形状測定手段で測定し、該形状測定手段からの信号に基づいて該投影光学系の光学特性の変化を調整手段で調整したことを特徴とする投影露光装置。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
, G03F 7/207
